三元前驱体基本信息

Crystal Structure
Me(OH)2晶体结构中, 金属离子和氢氧根构成八面体,其中金属离子(Ni2+, Co2+, Mn2+)占据八面体中心,OH-1占据八面体的六个角。所有的金属离子处在同一平面,三个氢氧根粒子位于平面上方,三个位于平面下方。相邻的八面体,共边相连,构筑八面体平面。晶体层与层之间,依靠O-H键沿着晶胞参数c轴连接。

Crystal growth
NCM前驱体合成过程:过饱和、成核、生长、团聚、陈化;
晶体的各向异性生长,决定了最终前驱体的一次粒子形貌;
一次例子的团聚,决定了最终前驱体的二次粒子形貌。

三元前驱体工艺流程示意图

Advanced Flow Reactor™(AFR)

AFR是一种连续流体反应系统,结合CFD模拟设计结构和工艺参数优化算法,具有连续流体反应在多相反应,搅拌,温度,压强,安全,催化等方面优势。强劲高效的混合能力,均匀浓度、温度场控制,AFR特别适合用于形貌高度可调,粒径小的um微米级和nm纳米级材料合成。应用于:新能源锂离子/钠离子电池正极前驱体行业合成(多晶、单晶小颗粒前驱体等),其他纳米材料合成(沉淀反应)。

AFR的管道式微结构设计,高表面积体积比,温度控制更精准和均匀,有利于晶体成核过程的均匀性。AFR高精度控制反应介质注入以及气氛控制,可以快速大量合成一次粒子并促进其在控制的晶体生长习惯方向生长。AFR的强劲搅拌桨叶,可以在合成过程中施加给一次粒子和二次粒子足够的能量,促进团聚,合成高颗粒硬度前驱体。相较于CSTR,AFR更容易合成形貌可控、球形度好、颗粒强度可调的小颗粒NCM前驱体。